The Highest Deposition Rate with Excellent Composition Control and Conformality
Features
- Excellent gapfill of GST in >5:1 AR structures in 2x node
- Excellent thickness and composition control using vaporizers
- High throughput
- Flexible choice of precursors using vaporizers
Films for Non-Volatile Memory
- Chalcogenide films for PCRAM GeSbTe · GeTe · SbTe InSbTe · doped-GeSbTe
- ReRAM oxides HfOx · ZrOx · TiOx · TaOx
Films for Heater Elements and Electrodes
- Heater element and electrodes TiN · TaN · TaAIN
Punte ed accessori per AFM MOCVD – Planetary Reactor
Scorrere verso l’alto
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